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Gas source molecular beam epitaxy : Growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures /

Panish, M. B.,

Gas source molecular beam epitaxy : Growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures / M.b. panish, h. temkin - 428 páginas - Springer series in materials science 26 .

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Epitaxia de haces moleculares
Semiconductores de arseniuro de galio

QC611.6M64 / P35

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