Low interface states and high dielectric constant Y2O3 films on Si substrates. (Registro nro. 21778)
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| 000 -LIDER | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 01195nam a2200289 u 4500 |
| 001 - NUMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 000001744 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ULTIMA TRANSACCION | |
| campo de control | 20231201102415.0 |
| 035 ## - NUMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control del sistema | PIM01000001744 |
| 040 ## - FUENTE DE CATALOGACION | |
| Agencia de catalogación original | Ingles |
| 008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA—INFORMACION GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 231130s2006 mx a|||||||||||||||||||spa d |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Alarcon-Flores, G. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Aguilar-Frutis, M. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Falcony, C. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Garcia-Hipolito, M. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Araiza-Ibarra, J. J. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Herrera-Suarez, H. J. |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO | |
| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada | Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO | |
| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada | Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO | |
| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO | |
| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada | Universidad Autonoma de Zacatecas. Unidad Academica de Fisica |
| 222 #0 - TITULO CLAVE | |
| Título clave | Journal of Vacuum Science and Technology B |
| 245 #0 - MENCION DEL TITULO | |
| Título | Low interface states and high dielectric constant Y2O3 films on Si substrates. |
| 260 ## - PUBLICACION, DISTRIBUCION, ETC. (PIE DE IMPRENTA) | |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. | 2006. |
| 300 ## - DESCRIPCION FISICA | |
| Extensión | Vol. 24, no. 4, pp. 1873-1877. |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) | |
| Nota local | Articulo |
| 856 ## - LOCALIZACION Y ACCESO ELECTRONICOS | |
| Identificador Uniforme del Recurso (“URI”) | https://iim-b.bibliotecas.unam.mx:81/opac-tmpl/bootstrap/images/documentos/articulos/2006-302.pdf |
| Texto del vínculo | Acceso texto completo |
| Estado retirado | Estado perdido | Fuente de clasificación o esquema de estantería | Estado dañado | No para préstamo | Colección | Biblioteca | Biblioteca actual | Ubicación de estantería | Total de préstamos | Código de barras | Fecha de la última vez que se vio | Número de copia | Tipo de ítem Koha |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Clasificación de la Biblioteca del Congreso | Préstamo en sala | General | Artículos | Artículos | Artículos | PIM-1739 | 21/06/2023 | 1 | Artículos |