Detalles MARC
| 000 -LIDER |
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| campo de control de longitud fija |
01361nam a2200361 a 4500 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ULTIMA TRANSACCION |
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| campo de control |
20231201102711.0 |
| 035 ## - NUMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
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| Número de control del sistema |
PIM01000003005 |
| 040 ## - FUENTE DE CATALOGACION |
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| Agencia de catalogación original |
Ingles |
| 008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA—INFORMACION GENERAL |
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| campo de control de longitud fija |
231130s2017 mx a|||||||||||||||||||spa d |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Galicia Cruz, A. G. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Diaz Solis, M. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Garcia Gonzalez, L. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Hernandez Torres, J. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Lopez Lopez, M. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Contreras Puente, G. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
|---|
| Nombre personal |
Santana Rodriguez, G. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Zamora Peredo, L. |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
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| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Universidad Veracruzana. Centro de Investigacion en Micro y Nanotecnologia |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
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| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Physics Department |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
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| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
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| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales |
| 222 ## - TITULO CLAVE |
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| Título clave |
Materia-Rio de Janeiro |
| 245 ## - MENCION DEL TITULO |
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| Título |
Theoretical study of c-GaN/GaAs single heterojunction solar cells |
| 260 ## - PUBLICACION, DISTRIBUCION, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
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| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
2017 |
| 300 ## - DESCRIPCION FISICA |
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| Extensión |
Vol. 22, No. 4, Art. UNSP e-11887 |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) |
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| Nota local |
Articulo |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
GaN/GaAs |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Heterostructures |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
TCAD modeling |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
I-V curves |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Solar cell |
| 856 ## - LOCALIZACION Y ACCESO ELECTRONICOS |
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| Identificador Uniforme del Recurso (“URI”) |
https://iim-b.bibliotecas.unam.mx:81/opac-tmpl/bootstrap/images/documentos/articulos/2017-136.pdf |
| Texto del vínculo |
Acceso texto completo |
