Detalles MARC
| 000 -LIDER |
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| campo de control de longitud fija |
01168nam a2200325 a 4500 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ULTIMA TRANSACCION |
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| campo de control |
20231201102712.0 |
| 035 ## - NUMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
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| Número de control del sistema |
PIM01000003012 |
| 040 ## - FUENTE DE CATALOGACION |
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| Agencia de catalogación original |
Ingles |
| 008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA—INFORMACION GENERAL |
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| campo de control de longitud fija |
231130s2017 mx a|||||||||||||||||||spa d |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Alvarez-Macias, C. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Escobar-Carrasquilla, J. D. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Dutt, A. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
|---|
| Nombre personal |
Mon-Perez, E. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
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| Nombre personal |
Gonzalez, L. |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL |
|---|
| Nombre personal |
Santana, G. |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
|---|
| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Instituto Tecnologico de la Laguna. Division de Estudios de Posgrado e Investigacion |
| 110 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE CORPORATIVO |
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| Nombre corporativo o de jurisdicción como elemento de entrada |
Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales |
| 222 ## - TITULO CLAVE |
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| Título clave |
Nano: Brief Reports and Reviews |
| 245 ## - MENCION DEL TITULO |
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| Título |
Development of optimal nanocrystalline absorption layer for thin film silicon solar cell applications |
| 260 ## - PUBLICACION, DISTRIBUCION, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
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| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
2017 |
| 300 ## - DESCRIPCION FISICA |
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| Extensión |
Vol. 12, No. 11, Art. 1750134 |
| 590 ## - NOTA LOCAL (RLIN) |
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| Nota local |
Articulo |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Pm-Si: H |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Chemical vapour deposition |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Silicon thin film |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
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| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Band gap |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
|---|
| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Absorption layer |
| 650 ## - ASIENTO SECUNDARIO DE MATERIA - TERMINO TEMATICO |
|---|
| Término temático o nombre geográfico como elemento de entrada |
Photosensitivity |
| 856 ## - LOCALIZACION Y ACCESO ELECTRONICOS |
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| Identificador Uniforme del Recurso (“URI”) |
https://iim-b.bibliotecas.unam.mx:81/opac-tmpl/bootstrap/images/documentos/articulos/2017-146.pdf |
| Texto del vínculo |
Acceso texto completo |
