Imagen de Amazon.com
Strained-Si heterostructure field effect devices / C. K. Maiti, L. K. Bera, and S. Chattopadhyay
Tipo de material:
TextoEditor: Boca Raton : Taylor & Francis, c2007Descripción: 423 páginas : ilustracionesTipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenISBN: 9780750309936 (papel alcalino)Otro título: Strained silicon heterostructure field effect devicesTema(s): Transistores Mosfet | Silicio -- Propiedades eléctricasClasificación CDD: 621.3815/284 Clasificación LoC:TK7871.95 | M35Otra clasificación: General
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Libros
|
Libros Libros | General | TK7871.95/M35 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 18364 | ||
|
Libros
|
Libros Libros | General | TK7871.95/M35 Ej.2 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 18018 |
Total de reservas: 0
Navegando Libros Estantes, Ubicación: Libros, Código de colección: General Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
|
|
|
|
|
|
|
||
| TK7871.9/P6913 Physics of high-speed transistors / | TK7871.92/M54 Heterojunctions and metal-semiconductor junctions / | TK7871.95/A54 Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs / | TK7871.95/M35 Strained-Si heterostructure field effect devices / | TK7871.95/M35 Ej.2 Strained-Si heterostructure field effect devices / | TK7871.95/M58 The physics and modeling of MOSFETS : surface-potential model HiSIM / | TK7871.96.B55/B56 1994 Bipolar and bipolar-MOS integration / |
compra 2013/06/06 1804.00
No hay comentarios en este titulo.