Simulación ab initio del silicio amorfo poroso : propiedades topológicas, electrónicas y ópticas / Emilye Rosas Landa Loustau
Tipo de material:![Texto](/opac-tmpl/lib/famfamfam/BK.png)
Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Libros Libros | General | QC611.8.A5/L35 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 20759 |
Total de reservas: 0
Navegando Libros Estantes, Ubicación: Libros, Código de colección: General Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
||
QC611.8.A5/A558 Vol. B Ej. 3 Amorphous silicon and related materials / | QC611.8.A5/G56 Glow-discharge hydrogenated amorphous silicon / | QC611.8.A5/I57 1977 Amorphous and liquid semiconductors : Proceedings of the seventh international conference on amorphous and liquid semiconductors : Edinburgh, june 27 - july 1, 1977 / | QC611.8.A5/L35 Simulación ab initio del silicio amorfo poroso : propiedades topológicas, electrónicas y ópticas / | QC611.8.A5/M33 The physics and applications of amorphous semiconductors / | QC611.8.A5/M33 Ej.2 The physics and applications of amorphous semiconductors / | QC611.8.A5/M54 Silicon sensors / |
No hay comentarios en este titulo.