Supercell approach to the optical properties of porous silicon.
Título de la Revista: Physical Review B: Condensed Matter and Materials PhysicsTipo de material: TextoIdioma: SPA Detalles de publicación: 1999. Descripción: Vol. 59, no. 23, 15 June, pp. 15381-7Tema(s): Band structure | Elemental semiconductors | Optical constants | Red shift | Silicon | Tight-binding calculations | Supercell approach | Optical properties | Porous silicon | Optical constants | Electronic band structure | sp/sup 3/s* tight-binding Hamiltonian | Crystalline Si | absorption edge | Redshift | Quantum confinement | Band gap | Dielectric function | Porosities | Weak disorder | Nonvertical optical transitions | Absorption spectra | SiRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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