Tight-binding description of disordered nanostructures: an application to porous silicon.
Título de la Revista: Applied Surface ScienceTipo de material: TextoIdioma: SPA Detalles de publicación: 1999. Descripción: Vol. 142, no. 1-4, April, pp. 564-568Tema(s): Absorption coefficients | Elemental semiconductors | Energy gap | Nanostructured materials | Semiconductor quantum wires | Silicon | Tight-binding calculations | Disordered nanostructures | Porous silicon | Supercell tight-binding sp/sup 3/s* model | Pore size | Nonvertical interband transitions | Pore morphology | Absorption coefficient | Silicon wires | Direct gap | Quantum confinement | SiRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Artículos | Artículos Artículos | General | 1 | Préstamo en sala | PIM-123 |
Total de reservas: 0
Articulo
No hay comentarios en este titulo.