The effect of hydrogen addition on the fluorine doping level of SiOF films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF/sub 4/-based plasmas.
Título de la Revista: Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes and Review PapersTipo de material:
TextoIdioma: SPA Detalles de publicación: 1998. Descripción: Vol. 37, no. 11, Nov., pp. 6135-6141Tema(s): Bond angles | Insulating thin films | Plasma CVD | Refractive index | Silicon compounds | Stoichiometry | Surface chemistry | Hydrogen addition | Fluorine doping level | SiOF films | Remote plasma-enhanced chemical vapor deposition | SiF/sub 4/-based plasma | Fluorinated silicon dioxide films | High-density remote plasma-enhanced chemical vapor deposition | Silicon tetrafluoride | SiF/sub 4 | SiF/sub 4/-to-O/sub 2/ flow rate ratio | Effective mutual scavenging | Refractive index | Si-O-Si bonding angles | Film formation process | Surface reactions | PECVD | 175 C | SiOFRecursos en línea: Acceso texto completo
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Artículos
|
Artículos Artículos | General | 1 | Préstamo en sala | PIM-271 |
Total de reservas: 0
Articulo
No hay comentarios en este titulo.