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Influence of substrate temperature on the properties of fluorinated silicon-nitride thin films deposited by IC-RPECVD.

Título de la Revista: Journal of Electronic MaterialsPor: Fandino, J | Lopez-Suarez, A | Monroy, B. M | Santana, G | Ortiz, A | Alonso, J. C | Oliver, A | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Fisica | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en MaterialesTipo de material: TextoTextoDetalles de publicación: 2006. Descripción: Vol. 35, no. 7, pp. 1552-1557Tema(s): Silicon nitride | PECVD | AFMRecursos en línea: Acceso texto completo
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