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Photoluminescence properties of SiNx/Si amorphous multilayer structures grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

Título de la Revista: Journal of LuminescencePor: Monroy, B.M | Santana, G | Aguilar-Hernandez, J | Benami, A | Fandino, J | Ponce, A | Contreras-Puente, G | Ortiz, A | Alonso, J.C | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales | Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de FisicaTipo de material: TextoTextoDetalles de publicación: 2006. Descripción: Vol. 121, no. 2, Sp. Iss S1, pp. 349-352Tema(s): Silicon nanoclusters | PECVD | Silicon nitride | Multilayer | PhotoluminescenceRecursos en línea: Acceso texto completo
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