InxGa1-xN nucleation by In+ ion implantation into GaN
Título de la Revista: Nuclear Instruments and Methods In Physics Research BTipo de material: TextoDetalles de publicación: 2017 Descripción: Vol. 413, pp. 62-67Tema(s): In+ Ion implantation | GaN | InxGa1-xNRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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