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Gas source molecular beam epitaxy : Growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures / M.b. panish, h. temkin
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TextoSeries Springer series in materials science ; 26Editor: Berlin : Springer Verlag, c1993Descripción: 428 páginasTipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenISBN: 354056540xTema(s): Epitaxia de haces moleculares | Semiconductores de arseniuro de galioClasificación LoC:QC611.6M64 | P35Otra clasificación: Serie
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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Libros
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Libros Libros | Series | QC611.6.M64/P35 Vol. 26 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 7564 |
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