Imagen de Amazon.com
III-nitride, SiC and diamond materials for electronic devices/ editors: D. Kurt Gaskill, Charles D. Brandt, Robert J. Nemanich
Tipo de material:
TextoIdioma: SPA Series Materials research society symposium proceedings ; 423Editor: Pittsburgh, Pennsylvania : Materials Research Society, c1996Tipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenISBN: 1558993266Tema(s): Semiconductores -- Materiales -- Congresos | Nitritos -- Propiedades electricas -- Congresos | Películas delgadas de diamante -- Propiedades eléctricas -- Congresos | Carbono de silicio -- Peliculas delgadas -- Propiedades electricas -- Congresos | Electrónica -- Materiales -- CongresosClasificación LoC:QC610.9 | I55Otra clasificación: Serie
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Libros
|
Libros Libros | Series | QC610.9/I55 VOL. 423 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 13108 |
Total de reservas: 0
Navegando Libros Estantes, Ubicación: Libros, Código de colección: Series Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
|
|
|
|
|
|
|
||
| QC610.9 V472 Vol.29 Very high speed integrated circuits : Gallium arsenide lsi / | QC610.9 V473 Vol.30 Very high speed integrated circuits : Heterostructure / | QC610.9/G76 1994 VOL. 326 Growth, processing and characterization of semiconductor heterostructures : Symposium held November 29-December 2, 1993, Boston, Massachusetts, U. S. A. / | QC610.9/I55 VOL. 423 III-nitride, SiC and diamond materials for electronic devices/ | QC610.9/I65 2001 VOL. 384-385 Ultrafast Phenomena in Semiconductors 2001 / | QC610.9/N37 1983 VOL. 180 The physics of submicron semiconductor devices / | QC610.9/N376 VOL. 277 Resonant tunneling in semiconductors : Physics and applications / |
Simposio llevado a cabo en San Francisco, California, del 8 al 12 de abril de 1996
No hay comentarios en este titulo.