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Quantum confinement effects on electronic properties of hydrogenated 3C-SiC nanowires.

Título de la Revista: Microelectronics JournalPor: Miranda, A | Cuevas, J. L | Ramos, A. E | Cruz-Irisson, M | Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Ingenieria Mecanica y Electrica | Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en MaterialesTipo de material: TextoTextoDetalles de publicación: 2009. Descripción: Vol. 40, no. 4-5, pp. 796-798Tema(s): Silicon carbide | Nanowires | Tight-binding | Density functional theoryRecursos en línea: Acceso texto completo
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