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		As-4 overpressure effects on the phase purity of cubic GaN layers grown on gaAs substrates by RF-MBE Título de la Revista: Applied Surface Science por Casallas-Moreno, Y. L \| Gallardo-Hernandez, S \| Ruiz-Zepeda, F \| Monroy, B. M \| Hernandez-Hernandez, A \| Herrera-Gomez, A \| Escobosa-Echavarria, A \| Santana, G \| Ponce, A \| Lopez-Lopez, M \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Fisica, University of Texas at San Antonio. Departmentof Physics and Astronomy \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Universidad Autonoma del Estado de Hidalgo. Escuela Superior de Apan \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Unidad Queretaro \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Ingenieria Electrica. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2015 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Close space vapor transport of gallium nitride in vacuum Título de la Revista: Materials Letters por Santana-Rodriguez, G \| de Melo, O \| Aguilar-Hernandez, J \| Mendoza-Perez, R \| Monroy, B. M \| Escamilla-Esquivel, A \| Lopez-Lopez, M \| de Moure, F \| Hernandez, L. A \| Contreras-Puente, G \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas \| Universidad Autonoma de la Ciudad de Mexico \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados \| Universidad de La Habana. Facultad de Fisica. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2013 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Deposition, opto-electronic and structural characterization of polymorphous silicon thin films to be applied in a solar cell structure Título de la Revista: Materials Science In Semiconductor Processing por Hamui, L \| Remolina, A \| Garcia-Sanchez, M. F \| Ponce, A \| Picquart, M \| Lopez-Lopez, M \| Monroy, B. M \| Santana, G \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Universidad Pontificia Bolivariana de Bucaramanga. Facultad de Ingenieria Mecanica. Grupo de Investigacion en Desarrollo Tecnologico Mecatronica y Agroindustria \| Instituto Politecnico Nacional. Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingenieria y Tecnologia Avanzada \| University of Texas at San Antonio. Department of Physics and Astronomy \| Universidad Autonoma Metropolitana Iztapalapa. Departamento de Fisica \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Fisica. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2015 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Effect of deposition temperature on polymorphous silicon thin films by PECVD: role of hydrogen Título de la Revista: Materials Science In Semiconductor Processing por Hamui, L \| Monroy, B. M \| Kim, K. H \| Lopez-Suarez, A \| Santoyo-Salazar, J \| Lopez-Lopez, M \| Cabarrocas, P. R. I \| Santana, G \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| CNRS. Ecole Polytechnique. Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces \| Korea Institute of Energy Research. KIER. UNIST. Advanced Center for Energy \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Fisica \| Ctr Invest & Estudios Avanzados. Instituto de Fisica \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Fisica. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2016 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Electrical characterization of GaN/ALN heterostructures grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates Título de la Revista: Revista Mexicana de Fisica por Rojas-Trigos, J. B \| Lopez-Lopez, M \| Venegas, M. A \| Contreras-Puente, G. S \| Jimenez-Olarte, D \| Santana-Rodriguez, G \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Fisica \| Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas. Departamento de Fisica \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2016 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		High ionic conduction in nanocrystalline ytterbium stabilized zirconia grown by ultrasonic spray pyrolysis, Título de la Revista: International Journal of Engineering Science and Innovative Technology por Benitez-Rico, A \| Garcia Sanchez, M. F \| Monroy-Pelaez, B. M \| Santoyo-Salazar, J \| Lopez-Lopez, M \| Santana-Rodriguez, G \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Instituto Politecnico Nacional. Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingenieria y Tecnologia Avanzadas. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2014 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		InxGa1-xN nucleation by In+ ion implantation into GaN Título de la Revista: Nuclear Instruments and Methods In Physics Research B por Hernandez-Gutierrez, C. A \| Kudriavtsev, Y \| Cardona, D \| Guillen-Cervantes, A \| Santana-Rodriguez, G \| Escobosa, A \| Hernandez-Hernandez, L. A \| Lopez-Lopez, M \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Doctorado en Nanotecnologia \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamento de Ingenieria Electrica \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Departamentoo de Fisica \| Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas \| ITESO. Departamento de Matematicas y Fisica. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2017 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Phase stability in mote2 prepared by low temperature mo tellurization using close space isothermal te annealing Título de la Revista: Materials Chemistry and Physics por Sanchez-Montejo, E \| Santana, G \| Dominguez, A \| Huerta, L \| Hamui, L \| Lopez-Lopez, M \| Limborco, H \| Matinaga, F. M \| da Silva, M. I. N \| de Oliveira, A. G \| Gonzalez, J. C \| de Melo, O \| Universidad Havana. Fac Phys \| Universidad Isla Juventud Jesus Montane Oropesa. Facultad Ciencias Pedagog \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Universidad Anahuac. Facultad Ingenieria. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2017 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Photoluminescence study of gallium nitride thin films obtained by infrared close space vapor transport Título de la Revista: Materials por Santana, G \| de Melo, O \| Aguilar-Hernandez, J \| Mendoza-Perez, R \| Monroy, B. M \| Escamilla-Esquivel, A \| Lopez-Lopez, M \| de Moure, F \| Hernandez, L. A \| Contreras-Puente, G \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2013 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Relation between grazing incident X-ray diffraction and surface defects in silicon doped GaAs. Título de la Revista: Physica B: Condensed Matter por Villada, J. A \| Jimenez-Sandoval, S \| Lopez-Lopez, M \| Banos, L \| Rodriguez-Garcia, M. E \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigación y de Estudios Avanzados. Departamento de Fisica \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Centro de Fisica Aplicada y Tecnologia Avanzada. Departamento de Nanotecnologia. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2010. Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)
		Theoretical study of c-GaN/GaAs single heterojunction solar cells Título de la Revista: Materia-Rio de Janeiro por Galicia Cruz, A. G \| Diaz Solis, M \| Garcia Gonzalez, L \| Hernandez Torres, J \| Lopez Lopez, M \| Contreras Puente, G \| Santana Rodriguez, G \| Zamora Peredo, L \| Universidad Veracruzana. Centro de Investigacion en Micro y Nanotecnologia \| Instituto Politecnico Nacional. Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados. Physics Department \| Instituto Politecnico Nacional. Escuela Superior de Fisica y Matematicas \| Universidad Nacional Autonoma de Mexico. Instituto de Investigaciones en Materiales. Tipo de material: Texto Detalles de publicación: 2017 Acceso en línea: Acceso texto completo Disponibilidad: No disponible para préstamo a domicilio:Artículos: Préstamo en sala (1). Agregar al carrito (remover)

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