Morphological, optical, and photoluminescent characteristics of GaAs/sub 1-x/N/sub x/ nanowhiskered thin films.
Título de la Revista: Applied Physics LettersTipo de material: TextoIdioma: SPA Detalles de publicación: 2001. Descripción: Vol.79, No.16, 15 Oct., pp.2555-2557Tema(s): Atomic force microscopy | Gallium arsenide | Gallium compounds | Grain size | III-V semiconductors | Nanostructured materials | Photoluminescence | Spectral line shift | Sputtered coatings | Visible spectra | Whiskers (crystal) | Photoluminescent characteristics | Optical characteristics | Morphological characteristics | GaAs/sub 1-x/N/sub x/ nanowhiskered thin films | Solid-solution | Glass substrates | Radio-frequency sputtering technique | Atomic-force microscopy images | Whisker shape | Substrate temperature | Surface morphology | Whisker-like features | Nanowhisker diameter | Optical absorption spectra | Band-gap energy blueshift | Strong quantum-confinement effects | Blue range | Quantum-size effects | GaAsNRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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