Surface relaxation effects on the properties of porous silicon.
Título de la Revista: Journal of Applied PhysicsTipo de material: TextoIdioma: SPA Detalles de publicación: 2002. Descripción: Vol. 91, no. 5, pp. 3085-3089Tema(s): Density functional theory | Effective mass | Elemental semiconductors | Energy gap | Lattice constants | Porous semiconductors | Pseudopotential methods | Silicon | Total energy | Surface relaxation effects | Structural properties | Total-energy pseudopotential formalism | Density-functional theory | 32-atom supercell | Porosity | Pore direction | Hydrogen-atom concentration | Band gap | Effective mass | Hydrogen-atom number | Pore shapes | Porous silicon | Electronic propertiesRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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