Modelling of electronic and phononic states of GE nanostructures.
Título de la Revista: Microelectronics JournalTipo de material: TextoDetalles de publicación: 2009. Descripción: Vol. 40, no. 3, pp. 439-441Tema(s): Porous germanium | Germanium nanowires | Tight-binding model | Raman responseRecursos en línea: Acceso texto completoTipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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