| 000 | 00932nam a2200301zi 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 003 | $$aDLC | ||
| 005 | 20230621110952.0 | ||
| 008 | 010219c 1998nyua b 001 0 eng | ||
| 020 | _a0306457245 (empastado) | ||
| 035 | _aMX001000872356 | ||
| 040 |
_aDLC _cDLC _dDLC |
||
| 041 | _aENG | ||
| 050 | 0 |
_aTK7871.85 _bY83 |
|
| 082 | 0 | 0 |
_a621.3815/2/0113 _221 |
| 084 | _aGeneral | ||
| 100 | 1 |
_aYuan, J. S., _eautor |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aSemiconductor device physics and simulation / _cJ.S. Yuan and J.J. Liou |
| 264 | 1 |
_aNew York : _bPlenum, _cc1998 |
|
| 300 |
_axii, 336 páginas : _bilustraciones ; |
||
| 490 | 0 | _aMicrodevices | |
| 650 | 0 |
_aSemiconductores _xSimulacion por computadora |
|
| 650 | 0 |
_aTransistores de unión _xSimulación por computadora |
|
| 700 | 1 |
_aLiou, Juin J., _eautor |
|
| 336 |
_atexto _2rdacontent |
||
| 337 |
_asin medio _2rdamedia |
||
| 338 |
_avolumen _2rdacarrier |
||
| 999 |
_c11012 _d11012 |
||